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    新思科技宣布三星晶圆厂成功实现了多次测试流片

    来源:电子芯片网 2022-11-04 11:50业界资讯
    电子芯片网消息,近日,新思科技(Synopsys)宣布,在双方的长期合作中,三星晶圆厂(以下简称"三星")已经通过公司数字和定制设计工具和流程成功实现了多次测试流片,从而更好地推动三星的3纳米全环绕栅极(GAA)技术被采用于对功耗、性能和面积(PPA)要求极高的应用中。

    新思科技表示,与三星SF5E工艺相比,采用三星晶圆厂SF3技术的共同客户将实现功耗降低约50%,性能提高约30%,面积缩小30%左右。此外,新思科技还获得了三星的"最先进工艺"认证。

    据了解,三星精简了3纳米工艺开发的成本和时间,并根据PPA设计指标有效地评估了其工艺选项。三星持续将新思科技DSO.ai™技术纳入其流程中,利用机器学习能力来大规模地探索芯片设计工作流程中的选择,并加快其流程的开发。

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