性能上，YR S900采用4通道PCIe 5.0接口，支持NVMe 2.0，采用多核CPU并行的命令处理方式，充分发挥PCIe 5.0的带宽优势。其顺序读取速度高达14GB/s，顺序写入速度高达12GB/s，4K随机读速度可达3.5M IOPs，4K随机写速度可达2.5M IOPs。

YR S900是一款面向未来数据中心的国产SSD主控芯片，并支持市场主流NAND，可配置16或者18通道，高度适配长江存储颗粒。采用开源的RISC-V架构，保证IP安全。

据了解，RISC-V是开源架构，可以保证芯片从设计、生产、制造全过程的安全和可持续，实现真正的IP安全、自主可控。